Категории

Производители

П210А

П210А

П 210 А -  Мощен германиев биполярен транзистор PNP 45W 12A 45V

Повече информация


9,00 лв с ДДС

70297

30 други артикули от същата категория:

П210А
Транзисторы П210А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-18.
Масса транзистора не более 37,0 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩМ3.365.037ТУ;
  - приемка «5» ЩМ3.365.037ТУ/Д6;
  - приемка «9» ЩМ3.365.037ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П210А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15
 
 

Технические характеристики транзисторов П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш:

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°СTП
max
Т
max
IК
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
К. Т. max)
h21ЭIКБОf гp.
АВВВВт мкАМГц°С°С
П210p-n-p12(60)6525(60)>15120,185-60…+70
П210Аp-n-p12(65)6525(60)>1580,185-60…+70
П210Бp-n-p12-6525(45)>10150,185-60…+70
П210Вp-n-p12-4525(45)>10150,185-60…+70
П210Шp-n-p12(64)-25(60)>1580,185-60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Количка  

Няма продукти

Доставка 0,00 лв
Сума 0,00 лв

Количка Поръчай

Нови продукти

  • 15uF/20V танталов кондензатор T110 KEMET
  • 15uF/20V танталов кондензатор T110 KEMET
3.3uF 20V танталов кондензатор T110 KEMET
3.3uF/20V танталов кондензатор T110 KEMET... >>
15uF/20V танталов кондензатор T110 KEMET
15uF/20V танталов кондензатор T110 KEMET... >>
33uF 10V танталов кондензатор T399G336K010AS KEMET
33uF/10V танталов кондензатор T399G336K010AS... >>
Контакт за панелен монтаж 2P+T 32A-6h/200-250V AC IP 44 IDE 02304
Индустриален съединител, женски, 32A, 2P+E... >>
Контакт за панелен монтаж 2P+T 16A-6h/200-250V AC IP 67 MENNEKES 1475
MENNEKES 1475 Panel mounted socket Ampere:... >>
Контакт ШУКО за панелен монтаж 2P+T (немски) 16A 250V AC IP 67 Famatel 13960
Контакт ШУКО за панелен монтаж 2P+T (немски)... >>
L91S1031030 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
L91S1031030 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ... >>
L091S103 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
L091S103 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ... >>
4609X-101-103LF BOURNS Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
4609X-101-103LF BOURNS Резисторна сборка: X;... >>
ХОЛ-ДАТЧИК HMS 10-P LEM
LEM HMS 10-P O/L Hall Effect Current Sensor, 10... >>
Дросел жичен тороидален 270mH ф42мм THT
Дросел жичен тороидален 270mH ф42мм THTТип... >>
Макара B66359-B1013-T1 EPCOS
Макара B66359-B1013-T1 EPCOSПроизводител:... >>
12.000 Mhz КВАРЦОВ РЕЗОНАТОР
Резонатор: кварцов; 12MHz; THT >>
FDB3632 TO247 THT
FDB 3632 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V 80A... >>
1000uF 63V 16x25mm 85°C Кондензатор електролитен SAMWHA
1000uF/63V 16x25mm 85°C Кондензатор... >>
470uF 50V 85°C Кондензатор електролитен, THT, ф8x20mm SAMWHA
470uF/50V 85°C Кондензатор електролитен, THT,... >>
S21MD3V
S21MD3V - оптотриак; High Noise Resistance Type... >>
MOC3022
MOC 3022 - Оптотриак; 4,17kV; триак; DIP6; Ch:... >>
MBR10100
MBR 10100 - Диод: изправителен на Шотки; THT;... >>
K3022P
K 3022 P - оптотриак; 3,75kV; Uизх: 400V; без... >>

Всички нови продукти