Добре дошли, Вход
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
IR 2125 PBF, Driver; MOSFET; 1,6A; 518V; 1W; Изходи:1; DIP8Производител: INTERNATIONAL RECTIFIER Тип интегрална схема: driver Технология: MOSFET Изходен ток: 1.6A Изходно напрежение: 518V Мощност: 1W Брой изходи: 1 Монтаж: THT Захранващо напрежение: 10...18V...
IRF 1010 E Power MOSFET (Vdss=60V/ Rds(on)=12mohm/ Id=84A)
IRF 2807 PBFТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Тип транзистор: HEXFET
IRF 3205 PBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; HEXFET; 55V; 110A; 170W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: N-MOSFET
IR F3205S Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 110A; 200W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 110A Разсейвана мощност: 200W Корпус: D2PAK...
IRF 3205ST RLPBF, Транзистор: N-MOSFET, полеви, 55V, 110A, 200W, D2PAKПроизводител: Infineon (IRF) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация:...
IRF 3710 N-channel HEXFET® Power MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A TO-220AB
IRF 4905 PBF, полеви транзистор: P-MOSFET; HEXFET; -55V; -74A; 200W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: -55V Ток на дрейна: -74A Мощност: 200W Напрежение гейт-сорс: 20V...
IRF 540 MOS N-FET-eV-MOS, L, 100V, 28A, 150W Разпродадени!
IRF 540 NN-FET 100V 28A 150W VDSS = 100V RDS(on) = 44mΩ ID = 33A
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти