Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
SPD07N60C3, 07N60C3, TO-252 SMD Mosfet Transistor ТРАНЗИСТОР N-CH 600V 7.3A DPAK-2
2N4393 - Транзистор, NPN, JFET, 40Vgs, 50mA, 1.8W, TO-18тип - N-JFET; максимално напрежение гейт-сорс - 40 V максимално напрежение дрейн-сорс - 40 V максимален ток на гейта 0.1 A; работна температура - от - 55 °C до + 200 °C мощност - 1.8 W корпус - TO-18 монтаж -...
2SJ 200 Y P Ch. MOS TransistorPins/Package TO-3P(2-16C1B) Pd(max.) P Channel Id(max.) -10A Vds(max.) -180V Vgs ±20VКомплиментарна двойка с 2SK1529Y
2SJ 307 P-FET 250V 6A 2W <1E ISO220 Very High-speed Switching Applications
2SJ 352 Silicon P-Channel MOS FET P-FET 200V 8A 100W P-FET 200V 8A 100W TO-3P
2SJ 449 MOS FIELD EFFECT TRANSITOR Switching P-channel Power Mos Fet Industrial Use P-FET 250V 6A 35W
2SK 1119 Transistor: unipolar, N-FET; 100V; 4A; 100W; TO220Тип транзистор: полеви (униполярен), N-FET Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна:...
2SK 1120 TOSHIBA MOSFET, N, TO-3P MOSFET N-CH 1000V 8A 3(2-16C1B)
2SK 1213 MOS-N-FET-e V-MOS, S-Reg, 600V, 6A, 125W
2SK 1357 MOS-N-FET-eV-MOS, 900V, 5A, 1250W, <2.8
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти