Категории

Производители

П216Г

П216Г

П 216 Г - Германиев Транзистор PNP 24W 7.5A 50V

  • Тип диод: Германиев
  • Мощност: 24W
  • Напрежение: 50V
  • Макс.допустим постоянен (импулсен) ток: 7.5А
  • h21Е: >5

Повече информация


2,40 лв с ДДС

60319

30 други артикули от същата категория:

П216Г
Транзисторы П216Д германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П216Г :
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°СTП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭ0 maxUКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
К. Т. max)
h21ЭUКЭ
нас.
IКБIЭБОf гp.КШСКСЭ
ААВВВВт ВмкАмкАМГцдБпФпФ°С°С
П216p-n-p7,5-404015(30)>180,750,5400,1---85-60…+70
П216Аp-n-p7,5-404015(30)20…800,750,5400,1---85-60…+70
П216Бp-n-p7,5-303015(24)>100,51,5200,1---85-60…+70
П216Вp-n-p7,5-303015(24)>300,52200,1---85-60…+70
П216Гp-n-p7,5-505015(24)>50,52,5500,1---85-60…+70
П216Дp-n-p7,5-505015(24)15…300,52200,1---85-60…+70


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD138, AD302, AD312, EFT212, EFT213, OC25, SFT238.

Количка  

Няма продукти

Доставка 0,00 лв
Сума 0,00 лв

Количка Поръчай

Нови продукти

  • Контакт за панелен монтаж 2P+T 32A-6h/200-250V AC IP 44 IDE 02304
  • Контакт за панелен монтаж 2P+T (немски) 16A-6h/200-250V AC IP 67 MENNEKES 1475
Контакт за панелен монтаж 2P+T 32A-6h/200-250V AC IP 44 IDE 02304
Индустриален съединител, женски, 32A, 2P+E... >>
Контакт за панелен монтаж 2P+T 16A-6h/200-250V AC IP 67 MENNEKES 1475
MENNEKES 1475 Panel mounted socket Ampere:... >>
Контакт ШУКО за панелен монтаж 2P+T (немски) 16A 250V AC IP 67 Famatel 13960
Контакт ШУКО за панелен монтаж 2P+T (немски)... >>
L91S1031030 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
L91S1031030 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ... >>
L091S103 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
L091S103 Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ... >>
4609X-101-103LF BOURNS Резисторна матрица 8X10kohm - ОБЩ ИЗВОД
4609X-101-103LF BOURNS Резисторна сборка: X;... >>
ХОЛ-ДАТЧИК HMS 10-P LEM
LEM HMS 10-P O/L Hall Effect Current Sensor, 10... >>
Дросел жичен тороидален 270mH ф42мм THT
Дросел жичен тороидален 270mH ф42мм THTТип... >>
Макара B66359-B1013-T1 EPCOS
Макара B66359-B1013-T1 EPCOSПроизводител:... >>
12.000 Mhz КВАРЦОВ РЕЗОНАТОР
Резонатор: кварцов; 12MHz; THT >>
FDB3632 TO247 THT
FDB 3632 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V 80A... >>
1000uF 63V 16x25mm 85°C Кондензатор електролитен SAMWHA
1000uF/63V 16x25mm 85°C Кондензатор... >>
470uF 50V 85°C Кондензатор електролитен, THT, ф8x20mm SAMWHA
470uF/50V 85°C Кондензатор електролитен, THT,... >>
S21MD3V
S21MD3V - оптотриак; High Noise Resistance Type... >>
MOC3022
MOC 3022 - Оптотриак; 4,17kV; триак; DIP6; Ch:... >>
MBR10100
MBR 10100 - Диод: изправителен на Шотки; THT;... >>
K3022P
K 3022 P - оптотриак; 3,75kV; Uизх: 400V; без... >>
IRLZ24N
IRLZ 24 N - Transistor Mosfet N-channel 55V 18A... >>
BD535
BD 535 NPN 60V 8A 50W 3MHz TO-220 >>
IPP80N06S2H5AKSA2
IPP80N 06S2H5AKSA2 Транзистор: N-MOSFET;... >>

Всички нови продукти