П216

П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD138, AD302, AD312, EFT212, EFT213, OC25, SFT238.

Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭ0 max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБ	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
П216	p-n-p	7,5	-	40	40	15	(30)	>18	0,75	0,5	40	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216А	p-n-p	7,5	-	40	40	15	(30)	20…80	0,75	0,5	40	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Б	p-n-p	7,5	-	30	30	15	(24)	>10	0,5	1,5	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216В	p-n-p	7,5	-	30	30	15	(24)	>30	0,5	2	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Г	p-n-p	7,5	-	50	50	15	(24)	>5	0,5	2,5	50	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Д	p-n-p	7,5	-	50	50	15	(24)	15…30	0,5	2	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.