Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
IRF 630 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel PowerMOSFETs
IRF630N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 9,5A; 82W; TO220ABТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 9.5A Разсейвана мощност: 82W Корпус:...
IRF 634 Advanced Power Mosfet N-FET 200V 8A 125W
IRF 640 MOS -N-FET-eV-MOS, L, 200V, 18A, 125W,
IRF 640 N, INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF - полеви (униполярен) транзистор, N-MOSFET; 200V; 18A; 150WТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET
IRF 720 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 400V; 3,3A; 50W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 400V
IRF730PBF Транзистор: N-MOSFET; полеви; 400V; 3,5A; 74W; TO220Производител: VISHAY Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 400V Ток на дрейна: 3.5A Разсейвана мощност: 74W Корпус: TO220AB
IRF 7314 PBF - Транзистор: P-MOSFET x2; полеви; HEXFET; -20V; -5,3A; 2W; SO8Производител: Infineon (IRF) Тип транзистор: P-MOSFET x2
IRF 7319: MOS-N+P-ch Vdss=+-30V Id=6.5A/-4.9
IRF 7389 PBF, N/P-MOSFET, dual; 30V; 7,3A; 2,5W; SO8Тип транзистор: полеви (униполярен), N/P-MOSFET, dual, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 7.3A Мощност: 2.5W Корпус: SO8 Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 29mΩ Термично...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти