Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
FQD 2P40 Транзистор: P-MOSFET; полеви; -400V; -0,98A; Idm: -6,24A; 38WТип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -400V Ток на дрейна: -0,98A Ток на дрейна при импулс: -6,24A Разсейвана мощност: 38W Корпус: DPAK...
FQD5N60CTM-WS Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 2.8A; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 2.8A Съпротивление във...
FQD 7P20 - Транзистор: P-MOSFET; полеви; -200V; -3,6A; 55W; DPAKТип транзистор: P-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -200V Ток на дрейна: -3.6A Разсейвана мощност: 55W Корпус: DPAK Напрежение...
FQPF 10N20 C - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220FFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs...
FQPF 3N60C Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 2A; 34W; TO220FPТип транзистор: N-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 2A Разсейвана мощност: 34W...
FQPF 3N80 C - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 800V; 3А; 39W; TO220FPТип транзистор: N-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 25°C - 3A; 100°C - 1.9A Разсейвана...
FQPF 7N80C -Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800V, 7A, 1.9Ω, TO-220F, THTTransistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800V Id - Continuous Drain Current: 6.6A Rds On - Drain-Source Resistance: 1.9Ω Vgs - Gate-Source Voltage: - 30V, + 30V Vgs th -...
FS10KM N-channel POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE N-FET 500V 10A 35W ISO!
FS3KM-18 A
IPB 014N06 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти