Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoGACIAGP BatteriesHamaHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayVishay DraloricZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
FQPF 3N60C Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 2A; 34W; TO220FPТип транзистор: N-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 2A Разсейвана мощност: 34W...
FQPF 3N80 C - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 800V; 1,9A; 39W; TO220FPТип транзистор: N-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 1.9A Разсейвана мощност: 39W Корпус:...
FQPF 7N80C -Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800V, 7A, 1.9Ω, TO-220F, THTTransistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800V Id - Continuous Drain Current: 6.6A Rds On - Drain-Source Resistance: 1.9Ω Vgs - Gate-Source Voltage: - 30V, + 30V Vgs th -...
FS10KM N-channel POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE N-FET 500V 10A 35W ISO!
FS3KM-18 A
IPB 014N06 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение...
IPB 019N08 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение гейт-сорс:...
IPB 025N10 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 300W Корпус: PG-TO263-7...
IRFS 4010 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3Производител: INFINEON Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 5 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V...
IPB 054N08 N -Транзистор: N-MOSFET; полеви; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 80V Ток на дрейна: 80A Разсейвана мощност: 150W Корпус: PG-TO263-3...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти