Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
VND 3NV04TR - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 40V; 3.5A; DPAK / Gate Drivers N-Ch 40V 3.5A OmniТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 40V Ток на дрейна: 3.5A Разсейвана мощност: 35W Корпус: DPAK/ TO-252-3 Монтаж: SMD
WMK 25N80 M3 WAYON Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полеви; 800V; 21A; 250WТип транзистор: N-MOSFET Технология: WMOS™ M3 Поляризация: полеви /униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 21A Разсейвана мощност: 250W Корпус: TO220-3 Напрежение...
WMP09N60C2 WAYON Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полеви; 600V; 6A; 45W; TO251Производител: WAYON Тип транзистор: N-MOSFET Технология: WMOS™ C2 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 6A Разсейвана мощност: 45W Корпус:...
YMP 230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETТранзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 230A; TO-220-3L
ZXM 61N03 FTA - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 30V; 1,1A; 0,625W; SOT23Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 1.1A Разсейвана мощност: 0.625W Корпус: SOT23 Напрежение гейт-сорс: ±20V...
ZXTN 620 MATA - Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPNManufacturer: Diodes Incorporated Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: DFN2020B-3 Transistor Polarity: NPN Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V Emitter- Base Voltage VEBO: 7.5 V Maximum DC...
ГТ1323 Ge, pnp, UCBmax = -32V, ICmax = 250mА, PCmax = 200mW, h21e = 60-150, fT = 1.7MHz
ГТ 302 - Транзистор: PNP; биполярен; германиев; българскиПроизводител: завод за полупроводници Ботевград Тип транзистор: PNP Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: Ток на колектора: Мощност: Корпус: TO3 Монтаж : THT
ГТ 308 В Германиев p-n-p транзистор 20V 50mA 150mW 120MHz, УСИЛВАНЕ: 80-150 Разпродаден!
ГТ 311 Ж, руски германиев транзистор NPN 0,15W 50mA 12V 0.3GHz Разпродадени!
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти