КТ603Г

Покажи всички снимки

Отпечатай
Увеличи

КТ 603Г Транзистор NPN 0.3A 3V 200MHz 0.5W СССР

Разпродадени!

Повече информация

Клиентите, които купиха този продукт, купиха също и ...

30 други артикули от същата категория:

Предишен Следващ

Информация

Транзистор КТ603Г

Транзисторы КТ603Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» -И93.365.005ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BSW36, BSY62A.

Основные технические характеристики транзистора КТ603Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом

Характеристики транзисторов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		мА	мА	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	мкА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ603А	n-p-n	300	600	30	30	3	0,5	10…80	<1	<10	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603Б	n-p-n	300	600	30	30	3	0,5	>60	<1	<10	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603В	n-p-n	300	600	15	15	3	0,5	10…80	<1	<5	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603Г	n-p-n	300	600	15	15	3	0,5	>60	<1	<5	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603Д	n-p-n	300	600	10	10	3	0,5	20…80	<1	<1	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603Е	n-p-n	300	600	10	10	3	0,5	60…200	<1	<1	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85
КТ603И	n-p-n	300	600	30	30	3	0,5	>20	<1	<10	<3	-	>200	<15	<40	120	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.