FQD12N20L
FQD 12N20L Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 5,7A; 2,5W; DPAK
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: QFET®
- Поляризация: полеви / униполарен
- Напрежение дрейн - сорс: 200V
- Ток на дрейна: 5.7A
- Разсейвана мощност: 2.5W
- Корпус: DPAK
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 280mΩ
- Монтаж: SMD
- Заряд на гейта: 21nС
- Вид на канала: обoгатяване
- Свойства: logic level
