Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
PD57006 - Транзистор: N-MOSFET; полеви RF 65V 1A 20W SO10RF SMT 15dBТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Вид транзистор: RF Напрежение дрейн - сорс: 65V Ток на дрейна: 1A Разсейвана мощност: 20W Корпус: SO10RF Напрежение гейт-сорс: ±20V...
PD 57060 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; RF; 65V; 7A; 79W; SO10RF; Pизх: 60WТип транзистор: N-MOSFET Вид транзистор: RF Напрежение дрейн - сорс: 65V Ток на дрейна: 7A Разсейвана мощност: 79W Корпус: SO10RF Напрежение гейт-сорс: ±20V...
PHT8N06LT Power MOSFET, N Channel, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Surface Mount The PHT8N06LT is a 55V logic level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and electrostatically robust due to integrated protection diodes. Suitable for use in DC to DC...
PMV48XP.215 NEXPERIA Транзистор: P-MOSFET; полеви; -20V; -2,2A; Idm: -14A; 930mWПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -20V Ток на дрейна: -2.2A Ток на дрейна при импулс: -14A Разсейвана мощност:...
PSMN0R9-25YLC Транзистор: N-MOSFET; полеви; 25V; 100A; 272WПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 25V Ток на дрейна: 100A Разсейвана мощност: 272W Корпус: LFPAK56, PowerSO8, SOT669...
RFD 3055 LESM9A - транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 11A; 38W; DPAKПроизводител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 11A Мощност: 38W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V...
RFP 50N06 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 50A; 131W; TO220ABПоляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 50A Разсейвана мощност: 131W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 22mΩ...
RFP 70N06 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 60V; 70A; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V
SCT 2H12 NZ - MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
SI2310-TP MOSFET Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 3A; 1.2WТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 3A Разсейвана...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти