Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
NTBGS4D1N15MC N-Channel MOSFET Transistor, 185 A, 150 V, 7-Pin D2PAKTransistor Polarity: N Channel Drain Source Voltage Vds: 150V Continuous Drain Current Id: 185A On Resistance Rds(on): 0.0033ohm Case : TO-263-7 / D2PAK Transistor Mounting: Surface Mount Rds(on) Test Voltage...
NTP 5864 NG - MOSFET N-CH 60V 63A TO-220FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 63A
N TR4 101PT1G Транзистор: P-MOSFET; полеви; -20V; -1,7A; 0,21W; SOT23-3Производител: ONSEMI Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -20V Ток на дрейна: -1.7A Разсейвана мощност: 0.21W Корпус: SOT23-3 Напрежение...
NX3008PBK,215 Транзистор: P-MOSFET; полеви; -30V; -0,23A; 420mWПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -30V Ток на дрейна: -230mA Разсейвана мощност: 0,42W Корпус: SOT23, TO236AB...
PD57006 - Транзистор: N-MOSFET; полеви RF 65V 1A 20W SO10RF SMT 15dBТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Вид транзистор: RF Напрежение дрейн - сорс: 65V Ток на дрейна: 1A Разсейвана мощност: 20W Корпус: SO10RF Напрежение гейт-сорс: ±20V...
PD 57060 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; RF; 65V; 7A; 79W; SO10RF; Pизх: 60WТип транзистор: N-MOSFET Вид транзистор: RF Напрежение дрейн - сорс: 65V Ток на дрейна: 7A Разсейвана мощност: 79W Корпус: SO10RF Напрежение гейт-сорс: ±20V...
PHT8N06LT Power MOSFET, N Channel, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Surface Mount The PHT8N06LT is a 55V logic level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and electrostatically robust due to integrated protection diodes. Suitable for use in DC to DC...
PMV48XP.215 NEXPERIA Транзистор: P-MOSFET; полеви; -20V; -2,2A; Idm: -14A; 930mWПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -20V Ток на дрейна: -2.2A Ток на дрейна при импулс: -14A Разсейвана мощност:...
PSMN0R9-25YLC Транзистор: N-MOSFET; полеви; 25V; 100A; 272WПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 25V Ток на дрейна: 100A Разсейвана мощност: 272W Корпус: LFPAK56, PowerSO8, SOT669...
RFD 3055 LESM9A - транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 11A; 38W; DPAKПроизводител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 11A Мощност: 38W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти