Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
FDB 3632 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V 80A 310W D2PAKПроизводител: ONSEMI Тип транзистор: N-MOSFET
FDMC 4435 BZ, Транзистор P-MOSFET полеви -30V; -18A; 31W; MLP8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: P-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -30V Ток на дрейна: -18A Разсейвана мощност: 31W...
FDN 304 P /smd/ MOSFET, P-channel, -20 V, -2.4 A, RDS(ON) 0.036 Ohm, SOT-23
FDS 6680 A - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 30V; 12,5A; 2,5W; SO8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 12.5A Мощност: 2.5W Корпус:...
FDS 6982 AS - Транзистор: N-MOSFET x2; полеви; 30V; 6,3/8,6A; 2W; SO8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET x2 Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 6.3/8.6A Мощност: 2W...
FGA 60N65 SMD Транзистор: IGBT; 650V; 60A; 600W; TO3Производител: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор -...
FGH 40N60 SMD - ON SEMICONDUCTOR Транзистор: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3Производител: ON SEMICONDUCTOR Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 40A Разсейвана мощност: 174W...
FJAF 6820 NPN High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output • High Collector-Base Breakdown Voltage : BVCBO = 1500V• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 3V (Max.)• For Color Monitor
FJAF 6920 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output • High Collector-Base Breakdown Voltage : BVCBO = 1700V• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 3V (Max.)• For Color Monitor
FJL 6920 TU - Транзистор: NPN; биполярен; 800V; 20A; 200W; TO264Производител: ONSEMI Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 800V Ток на колектора: 20A Разсейвана мощност: 200W Корпус: TO264 Монтаж: THT
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти