Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
DTC 124: Si-N50V, 0,03A, integr. Rb, Rbe
DTC 144: Si-N50V, 0,03A, integr. Rb, Rbe
FCP 11N60 F Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 11A; 125W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 11A Разсейвана мощност: 125W Корпус: TO220-3 Напрежение...
FDB 0170N607L MOSFET 60V TO263 7L JEDECMounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-263-7 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 300 A Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 mOhms...
FDB 0190N807 L - Транзистор: N-MOSFET полеви 80V 190A; Idm: 1440A; 250WТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен
FDB 035N10A Транзистор: N-MOSFET полеви 100V 120A; Idm: 856A; 333W D2PAK Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 120A Ток на дрейна при импулс: 856A Разсейвана мощност:...
FDB 045AN Транзистор: N-MOSFET; полеви; 75V; 90A; 310W; D2PAПроизводител: ONSEMI Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench®
FDB050AN06A0- Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 80A; 5mΩ Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток...
FDB1D7N10CL7 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 268A; Idm: 56A; 227W; D2PAK7 (TO-263-7)Производител: onsemi Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна:...
FDB 2532 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 150V; 56A; 310W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V Ток на дрейна: 56A Разсейвана мощност: 310W...
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти