Добре дошли, Вход
Валута
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
PDTC144EU.135 Nexperia Транзистор: NPN; биполярен; 80V; 0.1A; SOT323Производител: NexperiaТип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 80V Ток на колектора:...
PHE 13009 PHILIPS Транзистор: NPN; биполярен; 400V; 12A; 80W; TO220ABПроизводител: PHILIPS Semiconductors Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 400V Ток на колектора: 12A Разсейвана мощност: 80W Корпус: TO220AB...
PHT8N06LT Power MOSFET, N Channel, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Surface Mount The PHT8N06LT is a 55V logic level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and electrostatically robust due to integrated protection diodes. Suitable for use in DC to DC...
PMV48XP.215 NEXPERIA Транзистор: P-MOSFET; полеви; -20V; -2,2A; Idm: -14A; 930mWПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -20V Ток на дрейна: -2.2A Ток на дрейна при импулс: -14A Разсейвана мощност:...
PSMN0R9-25YLC Транзистор: N-MOSFET; полеви; 25V; 100A; 272WПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 25V Ток на дрейна: 100A Разсейвана мощност: 272W Корпус: LFPAK56, PowerSO8, SOT669...
PZTA 44 - Транзистор: NPN; биполярен; 400V; 0.3A; 1,35W; SOT223Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен
Q65110A7227 / SFH3710-3-Z Фототранзистор; 0805; λp max: 570nm; 5,5V; 60°; λd: 350÷950nmПроизводител: ams OSRAM Тип фотоелемент: фототранзистор Корпус: 0805 Дължина на вълната в точката за макс. чувствителност: 570nm Напрежение колектор - емитер: 5.5V Ъгъл на виждане: 60°...
RFD 3055 LESM9A - транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 11A; 38W; DPAKПроизводител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 11A Мощност: 38W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V...
RFP 50N06 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 50A; 131W; TO220ABПоляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 50A Разсейвана мощност: 131W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 22mΩ...
RFP 70N06 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 60V; 70A; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти