Добре дошли, Вход
Валута
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
IHW 30N160R 5XKSA1 INFINEON Транзистор: IGBT; 1,6kV; 39A; 131,5W; TO247-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 1.6kV Ток на колектора: 39A Разсейвана...
IKW50N60T / K50T60 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: IGBT; 600V; 80A; 333W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 80A Разсейвана мощност: 333W Корпус: TO247-3...
IMC2220NB1R0K Inductor High Frequency Chip Molded Wirewound 1uH 10% 7.96MHz 10Q-Factor 1.8A 0.03Ohm DCR 2220 T/R
IPP 110N20N - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 88A; 300W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 88A Разсейвана мощност: 300W Кутия: TO220-3...
IR 2125 PBF, Driver; MOSFET; 1,6A; 518V; 1W; Изходи:1; DIP8Производител: INTERNATIONAL RECTIFIER Тип интегрална схема: driver Технология: MOSFET Изходен ток: 1.6A Изходно напрежение: 518V Мощност: 1W Брой изходи: 1 Монтаж: THT Захранващо напрежение: 10...18V...
IRF 1010 E Power MOSFET (Vdss=60V/ Rds(on)=12mohm/ Id=84A)
IRF 2807 PBFТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Тип транзистор: HEXFET
IRF 3205 PBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; HEXFET; 55V; 110A; 170W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: N-MOSFET
IR F3205S Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 110A; 200W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 110A Разсейвана мощност: 200W Корпус: D2PAK...
IRF 3710 N-channel HEXFET® Power MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A TO-220AB
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти