SIHB22N60E-GE3
Арт.№: 59708
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
9.30
лв.
/
4.76
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики SIHB22N60E-GE3 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Напрежение дрейн - сорс: 600V
- Ток на дрейна: 21A
- Ток на дрейна при импулс: 56A
- Разсейвана мощност: 227W
- Корпус: D2PAK
- Напрежение гейт-сорс: ±30V
- Съпротивление във включено състояние: 180mΩ
- Монтаж: SMD
- Заряд на гейта: 86nС
- Вид на канала: обoгатяване
