П216В
П 216 В - Германиев Транзистор PNP 24W 7.5A 30V
- Тип диод: Германиев
- Мощност: 24W
- Напрежение: 50V
- Макс.допустим постоянен (импулсен) ток: 7.5А
- h21E: >35
Информация
П216В
Транзисторы П216Д германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.342ТУ;
- приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
- приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Основные технические характеристики транзистора П216Д :
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом
Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h21Э | UКЭ нас. | IКБ | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П216 | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | >18 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216А | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | 20…80 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Б | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >10 | 0,5 | 1,5 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216В | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Г | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | >5 | 0,5 | 2,5 | 50 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Д | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | 15…30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
