088 55 99 413
Любими 0
Начало Полупроводници транзистори pnp биполярни П216Г
Назад до pnp биполярни

П216Г

Арт.№: 60319
П216Г
1 от 1
П216Г
Безплатна доставка над
76.69
 
€
/
149.99
 
лв.
с куриер Спиди
ППЦ:
 
€
 
€
1.2271
 
€
/
2.40
 
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
бр.
Резервирай
и вземи от
088 55 99 413
Поръчай по телефона
Направи запитване
отговаряме бързо
Добави в любими
Твоите любими продукти
Сравни
Характеристики

П 216 Г - Германиев Транзистор PNP 24W 7.5A 50V

  • Тип диод: Германиев
  • Мощност: 24W
  • Напрежение: 50V
  • Макс.допустим постоянен (импулсен) ток: 7.5А
  • h21Е: >5
П216Г
П216Г
1.2271
 
€
/
2.40
 
лв.
Купи

Информация

П216Г
Транзисторы П216Д германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П216Г :
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:

Тип
транзистора		СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°СTП
max		Т
max
IК
max		IК. И.
max		UКЭ0 maxUКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
(РК. Т. max)		h21ЭUКЭ
нас.		IКБIЭБОf гp.КШСКСЭ
ААВВВВт ВмкАмкАМГцдБпФпФ°С°С
П216 p-n-p 7,5 - 40 40 15 (30) >18 0,75 0,5 40 0,1 - - - 85 -60…+70
П216А p-n-p 7,5 - 40 40 15 (30) 20…80 0,75 0,5 40 0,1 - - - 85 -60…+70
П216Б p-n-p 7,5 - 30 30 15 (24) >10 0,5 1,5 20 0,1 - - - 85 -60…+70
П216В p-n-p 7,5 - 30 30 15 (24) >30 0,5 2 20 0,1 - - - 85 -60…+70
П216Г p-n-p 7,5 - 50 50 15 (24) >5 0,5 2,5 50 0,1 - - - 85 -60…+70
П216Д p-n-p 7,5 - 50 50 15 (24) 15…30 0,5 2 20 0,1 - - - 85 -60…+70


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD138, AD302, AD312, EFT212, EFT213, OC25, SFT238.

loading...