П216Б

Name: П216Б
SKU: 56166
Price: 2.40 BGN
Availability: InStock

Арт.№: 56166

1 от 1

Безплатна доставка над

150.00

лв.

76.69

€

ППЦ:

лв.

2.40

лв.

1.23

€

В наличност

088 55 99 413

Поръчай по телефона

Добави в любими

Твоите любими продукти

Сравни

Характеристики

pnp биполярни

П 216 Б - Германиев Транзистор PNP 24W 7.5A 35V

Тип диод: Германиев
Мощност: 24W
Напрежение: 35V
Макс.допустим постоянен (импулсен) ток: 7.5А

2.40

лв.

1.23

€

Информация

П216Б
Транзисторы П216Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N178.

Основные технические характеристики транзистора П216Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭ0 max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБ	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
П216	p-n-p	7,5	-	40	40	15	(30)	>18	0,75	0,5	40	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216А	p-n-p	7,5	-	40	40	15	(30)	20…80	0,75	0,5	40	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Б	p-n-p	7,5	-	30	30	15	(24)	>10	0,5	1,5	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216В	p-n-p	7,5	-	30	30	15	(24)	>30	0,5	2	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Г	p-n-p	7,5	-	50	50	15	(24)	>5	0,5	2,5	50	0,1	-	-	-	85	-60…+70
П216Д	p-n-p	7,5	-	50	50	15	(24)	15…30	0,5	2	20	0,1	-	-	-	85	-60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.