КТ635Б

КТ635Б
Транзисторы КТ635Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: аА0.336.250 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ635Б:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 58 пс