КТ603Г
КТ 603Г Транзистор NPN 0.3A 3V 200MHz 0.5W СССР
Разпродадени!
Информация
Транзистор КТ603Г
Транзисторы КТ603Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» -И93.365.005ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BSW36, BSY62A.
Основные технические характеристики транзистора КТ603Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом
Характеристики транзисторов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h21Э | UКЭ нас. | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ603А | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | 10…80 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Б | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | >60 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603В | n-p-n | 300 | 600 | 15 | 15 | 3 | 0,5 | 10…80 | <1 | <5 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Г | n-p-n | 300 | 600 | 15 | 15 | 3 | 0,5 | >60 | <1 | <5 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Д | n-p-n | 300 | 600 | 10 | 10 | 3 | 0,5 | 20…80 | <1 | <1 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Е | n-p-n | 300 | 600 | 10 | 10 | 3 | 0,5 | 60…200 | <1 | <1 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603И | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | >20 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
