КТ342ВМ
Арт.№: 60547
1 от 1
Безплатна доставка над
с куриер Спиди
76.69
€
/
149.99
лв.
ППЦ:
€
€
0.4602
€
/
0.9001
лв.
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики КТ 342 ВМ Руски Транзистор: NPN; биполярен; 10V; 50mA; 250mW; TO92
- Производител: СССР
- Тип транзистор: NPN
- Поляризация: биполярен
- Напрежение колектор - емитер: 10V
- Ток на колектора: 50mA
- Разсейвана мощност: 250mW
- h21э =400…1000
- Корпус: ТО92
- Монтаж: THT
Информация
КТ342ВМ
Транзисторы КТ342БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные, высокочастотные.
Предназначены для применения в приёмоусилительной аппаратуре и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для транзисторов используется условная маркировка графическим и цифро-буквенным кодом:
- КТ342АМ - прямоугольный треугольник и буква «А»,
- КТ342БМ - треугольник и буква «Б»;
- КТ342ВМ - треугольник и буква «В»;
- КТ342ГМ - треугольник и буква «Г»;
- КТ342ДМ - треугольник и буква «Д».
Допускается также маркировка цветным кодом:
- КТ342АМ - синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и тёмно-красная на торце;
- КТ342БМ - синяя и жёлтая метки;
- КТ342ВМ - синяя и тёмно-зелёная метки.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» ЖК3.365.227ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC108C, PN5134, 2SC2821.
Основные технические характеристики транзистора КТ342ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс
Транзисторы КТ342БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные, высокочастотные.
Предназначены для применения в приёмоусилительной аппаратуре и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для транзисторов используется условная маркировка графическим и цифро-буквенным кодом:
- КТ342АМ - прямоугольный треугольник и буква «А»,
- КТ342БМ - треугольник и буква «Б»;
- КТ342ВМ - треугольник и буква «В»;
- КТ342ГМ - треугольник и буква «Г»;
- КТ342ДМ - треугольник и буква «Д».
Допускается также маркировка цветным кодом:
- КТ342АМ - синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и тёмно-красная на торце;
- КТ342БМ - синяя и жёлтая метки;
- КТ342ВМ - синяя и тёмно-зелёная метки.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» ЖК3.365.227ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC108C, PN5134, 2SC2821.
Основные технические характеристики транзистора КТ342ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс
Технические характеристики транзисторов КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. | IКБО | f гp. (f h21) | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ342АМ | n-p-n | 50 | 300 | 30 | - | 5 | 250 | 100…250 | 0,1 | 0,05 | 250 | - | 8 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ342БМ | n-p-n | 50 | 300 | 25 | - | 5 | 250 | 200…500 | 0,1 | 0,05 | 300 | - | 8 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ342ВМ | n-p-n | 50 | 300 | 10 | - | 5 | 250 | 400...1000 | 0,1 | 0,05 | 300 | - | 8 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ342ГМ | n-p-n | 50 | 300 | 30 | - | 5 | 250 | 100…250 | 0,1 | 0,05 | 150 | - | 8 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ342ДМ | n-p-n | 50 | 300 | 25 | - | 5 | 250 | 200…500 | 0,1 | 0,05 | 150 | - | 8 | - | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
