IRFB4110PBF
Арт.№: 71350
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
9.90
лв.
/
5.06
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики IRFB 4110 PBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 130A; 370W; TO220AB
- Производител: INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: HEXFET®
- Поляризация: полеви
- Напрежение дрейн - сорс: 100V
- Ток на дрейна: 130A
- Разсейвана мощност: 370W
- Корпус: TO220AB
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 4,5mΩ
- Монтаж: THT
- Заряд на гейта: 150nС
Информация
IRFB 4110 PBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 130A; 370W; TO220AB
- Производител: INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: HEXFET®
- Поляризация: полеви / униполарен
- Напрежение дрейн - сорс: 100V
- Ток на дрейна: 130A
- Разсейвана мощност: 370W
- Корпус: TO220AB
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 4,5mΩ
- Монтаж: THT
- Заряд на гейта: 150nС
- Вид на канала: обoгатяване
