IRF640
Арт.№: 5386
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
1.30
лв.
/
0.66
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики IRF 640
MOS -N-FET-eV-MOS, L, 200V, 18A, 125W,
Информация
- Тип транзистор: полеви, N-MOSFET, HEXFET
- Напрежение дрейн - сорс: 200V
- Ток на дрейна: 18A
- Мощност: 125W
- Корпус: TO220
- Напрежение гейт-сорс: 20V
- Съпротивление във включено състояние: 150mΩ
- Термично съпротивление преход-корпус: 1K/W
- Монтаж: THT
- Заряд на гейта: 44.7nС
