IRF630N
Арт.№: 58332
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
1.20
лв.
/
0.61
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики IRF630N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: HEXFET®
- Поляризация: полеви / униполарен
- Напрежение дрейн - сорс: 200V
- Ток на дрейна: 9.5A
- Разсейвана мощност: 82W
- Корпус: TO220AB
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 0.3Ω
- Монтаж: THT
- Заряд на гейта: 23,3nС
- Вид на канала: обoгатяване
