IPB025N10N
Арт.№: 59780
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
19.20
лв.
/
9.82
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики IPB 025N10 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: OptiMOS™ 3
- Поляризация: полеви / униполарен
- Напрежение дрейн - сорс: 100V
- Ток на дрейна: 180A
- Разсейвана мощност: 300W
- Корпус: PG-TO263-7
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 2.5mΩ
- Монтаж: SMD
- Вид на канала: обoгатяване
