IPB019N08N
Арт.№: 59766
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
15.00
лв.
/
7.67
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики IPB 019N08 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Технология: OptiMOS™
- Поляризация: полеви / униполарен
- Напрежение дрейн - сорс: 60V
- Ток на дрейна: 180A
- Разсейвана мощност: 214W
- Корпус: PG-TO263-7
- Напрежение гейт-сорс: ±20V
- Съпротивление във включено състояние: 1.4mΩ
- Монтаж: SMD
- Вид на канала: обoгатяване
