FDB050AN
Арт.№: 59724
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
5.40
лв.
/
2.76
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики FDB050AN06A0- Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 80A; 5mΩ Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)
- Тип транзистор: N-MOSFET
- Напрежение дрейн - сорс: 60V
- Ток на дрейна: 21A
- Разсейвана мощност: 245W
- Корпус: D2PAK
- Напрежение гейт-сорс: 10V
- Съпротивление във включено състояние: 5mΩ
- Монтаж: SMD
- Заряд на гейта: 61nС
Информация
FDB050AN06A0: N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 5mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 5 mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features:
- RDS(on) = 4.3mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
- QG(tot) = 61nC (Typ.) @ VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
- Qualified to AEC Q101
Applications:
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- Other Data Processing
- Other Industrial
- Other Automotive
