QSB363GR фототранзистор
Арт.№: 59614
1 от 1
Безплатна доставка над
150.00
лв.
/
76.69
€
ППЦ:
лв.
лв.
0.90
лв.
/
0.46
€
Валидност на промоцията
до
В наличност
Доставка и плащане
Резервирай
и вземи от Добави в любими
Твоите любими продукти Сравни
Характеристики QSB363GR фототранзистор
- Производител: ONSEMI
- Тип фотоелемент: фототранзистор
- Диаметър: 2mm
- Дължина на вълната в точката за макс. чувствителност: 940nm
- Напрежение колектор - емитер: 5V
- Ъгъл на виждане: 12°
- Леща: черна прозрачна
- Монтаж: THT
- С аксиални изводи
Информация
QSB363GR Phototransistors Phototransistor Si Infrared
- Package/Case: T-3/4
- Peak Wavelength: 940 nm
- Operating Supply Voltage: 5 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
- Dark Current: 100 nA
- Rise Time: 15 us
- Fall Time: 15 us
- Pd - Power Dissipation: 75 mW
- Minimum Operating Temperature: - 25 C
- Maximum Operating Temperature: + 85 C
- Series: QSB363
- Brand: onsemi / Fairchild
- Half Intensity Angle Degrees: 12 deg
- Height: 3 mm
- Length: 2.7 mm
- Lens Colour/Style: Black Transparent
