транзистори - 10 product(s)
полеви и биполярни транзистори
- Subcategories
- полеви транзистори
- IGBT
- npn биполярни
- pnp биполярни
-
IRF540
IRF 540 MOS N-FET-eV-MOS, L, 100V, 28A, 150W Разпродадени!
1,67 лв - -
IRF540N
IRF 540 NN-FET 100V 28A 150W VDSS = 100V RDS(on) = 44mΩ ID = 33A
1,80 лв - In Stock -
IRF540NS
IRF 540 NS / F540NS Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 33A; 3,8W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви /униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 33A Разсейвана мощност: 3.8W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 44mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 47,3nС Вид на канала: обoгатяване
3,30 лв - In Stock -
IRF614
IRF 614
2,22 лв - In Stock -
IRF620
IRF 620 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 200V; 5,2A; 50W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна7 5.2A Мощност: 50W Корпус: TO220AB Монтаж: THT
0,90 лв - In Stock -
IRF630
IRF 630 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel PowerMOSFETs
1,11 лв - In Stock -
IRF630N
IRF630N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 9,5A; 82W; TO220ABТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 9.5A Разсейвана мощност: 82W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 0.3Ω Монтаж: THT Заряд на гейта: 23,3nС Вид на канала: обoгатяване
1,20 лв - In Stock -
IRF634
IRF 634 Advanced Power Mosfet N-FET 200V 8A 125W
2,41 лв - In Stock -
IRF640
IRF 640 MOS -N-FET-eV-MOS, L, 200V, 18A, 125W,
1,30 лв - In Stock -
IRF640N
IRF 640 N, INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF - полеви (униполярен) транзистор, N-MOSFET; 200V; 18A; 150WТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 18A Мощност: 150W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 150mΩ Термично съпротивление преход-корпус: 1K/W Монтаж: THT Заряд на гейта: 44.7nС
1,50 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site