Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
-
IRF3910
IRF 3910Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 79 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 16 A Total Gate Charge (Qg): 44(max) nC Rise Time (tr): 27 nS Package: TO252
9,90 лв - In Stock -
IRF4905PBF
IRF 4905 PBF, полеви транзистор: P-MOSFET; HEXFET; -55V; -74A; 200W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: -55V Ток на дрейна: -74A Мощност: 200W Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 20mΩ Термично съпротивление преход-кутия: 750mK/W Монтаж: THT Заряд на гейта: 120nС
6,00 лв - In Stock -
IRF520N
IRF 520 N Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 100V; 9,7A; 48W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 9.7A Мощност: 48W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 200mΩ Термично съпротивление преход-корпус: 3.1K/W Монтаж: THT Заряд на гейта: 16.7nС
1,40 лв - In Stock -
IRF5210S
IRF 5210 S - Транзистор: P-MOSFET; полеви; -100V; -40A; 3,8W; D2PAKПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: P-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -100V Ток на дрейна: -40A Разсейвана мощност: 3.8W Корпус: D2PAK Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
4,80 лв - In Stock -
IRF540
IRF 540 MOS N-FET-eV-MOS, L, 100V, 28A, 150W Разпродадени!
1,67 лв - -
IRF540N
IRF 540 NN-FET 100V 28A 150W VDSS = 100V RDS(on) = 44mΩ ID = 33A
1,80 лв - In Stock -
IRF540NS
IRF 540 NS / F540NS Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 33A; 3,8W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви /униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 33A Разсейвана мощност: 3.8W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 44mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 47,3nС Вид на канала: обoгатяване
3,30 лв - In Stock -
IRF614
IRF 614
2,22 лв - In Stock -
IRF620
IRF 620 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 200V; 5,2A; 50W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна7 5.2A Мощност: 50W Корпус: TO220AB Монтаж: THT
0,90 лв - In Stock -
IRF630
IRF 630 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel PowerMOSFETs
1,11 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site