транзистори - 10 product(s)
полеви и биполярни транзистори
- Subcategories
- полеви транзистори
- IGBT
- npn биполярни
- pnp биполярни
полеви и биполярни транзистори
STB 57N65M5 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 650V; 26,5A; 250W; D2PAKПроизводител: ST Тип транзистор: N-MOSFET Технология: SuperMesh™ Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 650V Ток на дрейна: 26.5A Разсейвана мощност: 250W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±25V Съпротивление във включено състояние: 63mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване Свойства: ESD protected gate
ST D10N STMICROELECTRONICS Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 9A; 50W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: SuperMesh™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 9A Разсейвана мощност: 50W Корпус: DPAK/ TO-252-3 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 130mΩ Монтаж: SMD Вид на канала:обoгатяване ESD protected gate
STD4NK80Z / D4NK8 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 800V; 1,89A; 80W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: SuperMesh™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 1.89A Разсейвана мощност: 80W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 3500mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване Свойства: ESD protected gate
STD 6N80K5 Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полеви; 800V; 2,8A; 85W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: MDmesh™ K5 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 2.8A Разсейвана мощност: 85W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 1600mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване Свойства: ESD protected gate
STD 6N95K5 -Транзистор: N-MOSFET; полеви; 950V; 9A; 90W; DPAKПроизводител: STMicroelectronics Тип транзистор: N-MOSFET Технология: MDmesh™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 950V Ток на дрейна: 9A Разсейвана мощност: 90W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 1250mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
STF 6N60M2 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 4,5A; 20W; TO220FПроизводител: ST MICROELECTRONICS Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 4.5A (2.9A @ 100 ℃) Мощност: 20W Корпус: TO220FP Напрежение гейт-сорс: ±25V Съпротивление във включено състояние: 1200mΩ Монтаж: THT
STFW 3N150 STMICROELECTRONICS Транзистор: N-MOSFET; полеви ; 1500V; 1,6A; 63W; TO3PFПроизводител: ST Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerMesh™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 1500V Ток на дрейна: 1.6A Разсейвана мощност: 63W Корпус: TO3PF Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 9000mΩ Монтаж: THT Вид на канала: обoгатяване
STFW 4N150 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 1500V; 2,5A; 63W; TO3PFПроизводител: STMicroelectronics Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerMesh™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 1500V Ток на дрейна: 2.5A Разсейвана мощност: 63W Корпус: TO3PF Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 7000mΩ Монтаж: THT Вид на канала: обoгатяване
STP 10NK60ZFP Транзистор: униполярен, N-MOSFET; 600V; 10A; 35W; TO220 ISOТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 10A Мощност: 35W Корпус: TO220ISO Съпротивление във включено състояние: 0.75Ω Монтаж: THT
STP 11NK50 Z / P11NK50Z Транзистор: N-MOSFET; полеви; 500V; 6,3A; 125W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Технология: SuperMesh™ Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 500V Ток на дрейна: 6.3A Разсейвана мощност: 125W Корпус: TO220-3 Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 520mΩ Монтаж: THT Вид на канала: обoгатяване Свойства: ESD protected gate