транзистори - 10 product(s)
полеви и биполярни транзистори
- Subcategories
- полеви транзистори
- IGBT
- npn биполярни
- pnp биполярни
-
PDTC144EU.135
PDTC144EU.135 Nexperia Транзистор: NPN; биполярен; 80V; 0.1A; SOT323Производител: NexperiaТип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 80V Ток на колектора: 100mA Корпус: SOT-323-3 Ток на колектора в импулс: 100mA Усилване на транзистора: 80 Монтаж: SMD
0,30 лв - In Stock -
PHE13009
PHE 13009 PHILIPS Транзистор: NPN; биполярен; 400V; 12A; 80W; TO220ABПроизводител: PHILIPS Semiconductors Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 400V Ток на колектора: 12A Разсейвана мощност: 80W Корпус: TO220AB Усилване на транзистора: 8...40 Монтаж: THT
1,35 лв - In Stock -
PHT8N06LT
PHT8N06LT Power MOSFET, N Channel, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Surface Mount The PHT8N06LT is a 55V logic level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and electrostatically robust due to integrated protection diodes. Suitable for use in DC to DC converters and general purpose switching applications.
0,90 лв - In Stock -
PMV48XP,215 NEXPERIA
PMV48XP.215 NEXPERIA Транзистор: P-MOSFET; полеви; -20V; -2,2A; Idm: -14A; 930mWПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -20V Ток на дрейна: -2.2A Ток на дрейна при импулс: -14A Разсейвана мощност: 930mW Корпус: SOT23, TO236AB Напрежение гейт-сорс: ±12V
0,60 лв - In Stock -
PSMN0R9-25YLC
PSMN0R9-25YLC Транзистор: N-MOSFET; полеви; 25V; 100A; 272WПроизводител: NEXPERIA Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 25V Ток на дрейна: 100A Разсейвана мощност: 272W Корпус: LFPAK56, PowerSO8, SOT669 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 2,125mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 110nС Вид на канала: обoгатяване
3,30 лв - In Stock -
PZTA44
PZTA 44 - Транзистор: NPN; биполярен; 400V; 0.3A; 1,35W; SOT223Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 400V Ток на колектора: 300mA Мощност: 1.35W Корпус: SOT223 Монтаж: SMD
1,20 лв - In Stock -
Q65110A7227 / SFH3710-3-Z
Q65110A7227 / SFH3710-3-Z Фототранзистор; 0805; λp max: 570nm; 5,5V; 60°; λd: 350÷950nmПроизводител: ams OSRAM Тип фотоелемент: фототранзистор Корпус: 0805 Дължина на вълната в точката за макс. чувствителност: 570nm Напрежение колектор - емитер: 5.5V Ъгъл на виждане: 60° Монтаж: SMD Дължина на вълната λd/ Wavelength: 350...950nm Светлочувствителна повърхност: 0.29mm²
2,00 лв - In Stock -
RFD3055LESM9A
RFD 3055 LESM9A - транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 11A; 38W; DPAKПроизводител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 11A Мощност: 38W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 107mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 11.3nС
1,50 лв - In Stock -
RFP50N06
RFP 50N06 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 50A; 131W; TO220ABПоляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 50A Разсейвана мощност: 131W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 22mΩ Монтаж: THT Заряд на гейта: 150nС Вид на канала: обoгатяване
5,90 лв - In Stock -
RFP70N06
RFP 70N06 Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 60V; 70A; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 70A Корпус: TO220AB Съпротивление във включено състояние: 0.014Ω Монтаж: THT
6,90 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site