транзистори - 10 product(s)
полеви и биполярни транзистори
- Subcategories
- полеви транзистори
- IGBT
- npn биполярни
- pnp биполярни
-
GT40QR21
GT 40QR21 - Транзистор: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PNПроизводител: TOSHIBA Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1,2kV Ток на колектора: 35A Разсейвана мощност: 230W Корпус: TO3PN Напрежение гейт - емитер: ±25V Ток на колектора в импулс: 80A Монтаж: THT Време на включване: 0,3µs Време на изключване: 0,6µs Свойства: integrated anti-parallel diode
15,00 лв - In Stock -
HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D FAIRCHILD Транзистор: IGBT; 600V; 70A; 290W; TO247Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 70A Мощност: 290W Корпус: TO247 Монтаж: THT
12,50 лв - In Stock -
IGW25N120H3
IGW25N120H3FKSA1 - Транзистор: IGBT; 1,6kV; 39A; 131,5W; TO247-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ 3 Напрежение колектор - емитер: 1,2kV Ток на колектора: 50A Разсейвана мощност: 326W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Монтаж: THT Серия на производителя: H3
19,80 лв - In Stock -
IHW30N160R2
IHW 30N160 R2 - Транзистор IGBT 1,6kV 30A 312W TO247-3Маркировка: H30R1602 Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 1.6kV Ток на колектора: 30A Разсейвана мощност: 312W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 90A Монтаж: THT Заряд на гейта: 94nС Време на изключване: 675nsРазпродадени! виж IHW30N160R5XKSA1
12,00 лв - -
IHW30N160R5XKSA1
IHW 30N160R 5XKSA1 INFINEON Транзистор: IGBT; 1,6kV; 39A; 131,5W; TO247-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 1.6kV Ток на колектора: 39A Разсейвана мощност: 263W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 90A Монтаж: THT Заряд на гейта: 205nС Време на изключване: 411ns
19,80 лв - In Stock -
IKP10N60T
IKP 10N60T - Транзистор: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB; единичен транзисторПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 10A Разсейвана мощно: 110W Корпус: TO220AB Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 30A Монтаж: THT Заряд на гейта: 62nС Свойства: integrated anti-parallel diode
9,30 лв - In Stock -
IKW30N60H3
IKW 30N60 H3FKSA1 - Транзистор: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; TRENCHSTOP™ 3; Серия: H3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 30A Мощност: 94W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Монтаж: THT Технология: TRENCHSTOP™ 3 Серия: H3
9,90 лв - In Stock -
IKW50N60T / K50T60
IKW50N60T / K50T60 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: IGBT; 600V; 80A; 333W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 80A Разсейвана мощност: 333W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Монтаж: THT Структура на полупроводника: единичен транзистор Свойства: integrated anti-parallel diode
22,20 лв - In Stock -
IPB014N06N
IPB 014N06 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 1.4mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
5,40 лв - In Stock -
IPB019N08N
IPB 019N08 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 1.4mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
15,00 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site