транзистори - 10 product(s)
полеви и биполярни транзистори
- Subcategories
- полеви транзистори
- IGBT
- npn биполярни
- pnp биполярни
полеви и биполярни транзистори
SIHB22N60E-GE3 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 21A Ток на дрейна при импулс: 56A Разсейвана мощност: 227W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 180mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 86nС Вид на канала: обoгатяване
SKB 02N120 IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A PG-TO263-3-2 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiode
SPD07N60C3 Транзистор: N-MOSFET; полеви 650V 7,3A 83W PG-TO252-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: N-MOSFET Технология: CoolMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 650V Ток на дрейна: 7.3A Разсейвана мощност: 83W Корпус: PG-TO252-3 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 0.6Ω Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
SPD 09P06 PLGBTMA1 Транзистор: P-MOSFET; полеви; -60V; -9,7A; 42W; PG-TO252-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: P-MOSFET Технология: SIPMOS™ Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: -60V Ток на дрейна: -9.7A Разсейвана мощност: 42W Корпус: PG-TO252-3 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 0.25Ω Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
SPP 03N60 S5 - Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 3.2A TO220-3 CoolMOS S5
SPP 100N06S2L-05 / PN06L05 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 100A; 3000W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 100A Разсейвана мощност: 300W Корпус: TO220-3 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 4.7mΩ Монтаж: THT Вид на канала: обoгатяване
SS 8050 CBU - Транзистор: NPN; биполярен; 40V; 1,5A; 1W; TO92Тип транзистор: NPN Поляризация: биполярен Напрежение колектор - емитер: 40V Ток на колектора: 1.5A Мощност: 1W Корпус: TO92 Монтаж: THT
SSP3N80A - Advanced Power MOSFET BVDSS = 800 V RDS(on) = 4.8 W ID = 3 A SSP3N80A се заменя от FQP3N80
SSP 6N60A Разпродадени!
SSS6N60A