STRS6707

Интегрална схема STRS6707-отдалечен импулсен регулатор с биполярен ключов транзистор. Работа в квази-резонансен режим, ниско ниво на смущенията, висока ефективност. Режим на готовност с малка консумация на енергия. Свръхтокова защита за всеки импулс. Затворени: защита от свръхнапрежение и термична защита.

• вид - импулсен регулатор;
• захранващо напрежение Uin - 15 VDC;
• изходно напрежение (колектор-емитер на ключовия транзистор) UCEX - 850 VDC;
• максимално напрежение емитер-база при прекъснат колектор UEBO - 7 VDC;
• входно напрежение във включено състояние Uint (pin 9, включване, нарастване на Uin) - (7.6 мин 8.0 средно 8.4 макс) VDC;
• напрежение на отключване Uinq на защитата за ниско напрежение (изключване, намаляване на Uin) - (4.6 мин 4.9 средно 5.2 макс) VDC;
• праг на защитата за свръхнапрежение Uovp(th) - (9.2 мин 10.7 макс) VDC;
• изходен ток на утечка Icex (верига колектор-емитер на ключовия транзистор, Uce=850 VDC, Ueb=1.5 V) - 100 μA макс;
• коефициент на предаване по ток в схема ОЕ hFE=β на ключовия транзистор (Uce=4 V, Ic=1 A) - (29 мин 61 макс);
• максимален непрекъснат изходен (на колектора на ключовия транзистор) ток IC - 6 A;
• пиков изходен ток ICM (на колектора на изходния транзистор; единичен импулс с продължителност 1 ms) - 12 A;
• максимален ток на оттичане IS (pin 4) - 1.5 A;
• ток, консумиран от устройството за управление (драйвър) - 700 mA;
• ток, консумиран от веригата за обратна връзка IFDBK - 20 mA;
• напрежение на потискане UINH (pin 8) - 15 VDC;
• обхват на напрежението на свръхтоковата защита UOCP - ± 3.5 VDC;
• максимално допустима разсейвана от корпуса мощност PD (температура на околната среда 25 ºC) - 54 W;
• максимална температура на преходите TJ - 150 ºC;
• максимална вътрешна температура TF - 125 ºC;
• обхват на работната температура Ta - от –20ºC до +125ºC;
• обхват на температурата на съхранение Tstg - от –40ºC до +125ºC;
• максимално време за включване ton - (33 мин 41 макс) μs;
• минимално време за изключване toff - (45 мин 55 макс) μs;
• прагово напрежение на обратната връзка Ufdbk (th) - 650 mVDC тип;
• праг на напрежението на свръхтоковата защита Uocp (th) - (–0.9 мин –1.0 средно –1.1 макс) VDC;
• ток на задържане в заключено състояние Iinh - (Uin е намалено от 10.7 V на 4 V) - 500 μA макс;
• напрежение на превключване от заключено състояние Uq (Iin≤ 100 μA, Uin е намалено от 10.7 V) - (2.5 мин 3.1 средно) VDC;
• ефективна стойност на пробивното напрежение на изолацията Uwm(rms) (всички изводи едновременно са свързани към металната пластина срещу задната страна) - 2000 V мин;
• температура на изключване на термичната защита Tj - (125 мин 150 макс) ºC;
• топлинно съпротивление Rθjm (изходен преход към монтажна повърхност) - 2.0 K/W (ºC/W).

Изходно напрежение на насищане (Ic=2 A, Ib=400 mA)

• колектор-емитер на ключовия транзистор Ucesat - 400 mVDC макс.;
• база-емитер на ключовия транзистор Ubesat - 1.5 VDC макс.

Праг на напрежението на потискане Uinh(th) при

• осцилацията (колебанието) е преустановена - (0.65 мин 0.75 тип 0.85 макс) VDC;
• осцилацията е синхронизирана - (1.4 тип 2.0 макс) VDC;
• осцилацията е преустановена (RS-тригерът "fault latch" ("погрешнo заключване") се е установил в състояние Q=1) - (3.2 мин 5.1 тип 5.6 макс) VDC.

Консумиран ток от входа във

• включено състояние Iin(on) (работен) - (15 мин 29 макс) mA;
• изключено състояние Iin(off) - 200 μA