OA200
OA200
Material/Aufbau: Silicium Flächen-Diode;
Form/Case/Outline: Allglas, ähnlich DO-29;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 0.8 V; Isp: 20 nA; Usp: 50V; N: __ mW; Imax: 0,16 A; Umax: 50 V; f g: __ MHz; tmax j: 125 °C.
Listenpreis 10/1962: DM 5,50 (Valvo)
