Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
IRFZ 34 NPBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 26A; 56W; TO220ABПроизводител: Infineon (IRF) Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви /униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 26A Мощност: 56W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 40mΩ Монтаж: THT Заряд на гейта: 22.7nС
IRFZ 40 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 41A; 83W; TO220ABТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 41A Разсейвана мощност: 83W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 17.5mΩ Монтаж: THT Заряд на гейта: 42nС Вид на канала: обoгатяване
IRFZ 44 NPBF - Транзистор: N-MOSFET; униполарен; HEXFET; 55V; 41A; 83W; TO220ABТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 41A Мощност: 83W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Монтаж: THT
IRF Z48 N Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 55V; 64A; 94W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 64A Мощност: 94W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 14mΩ Термично съпротивление преход-корпус: 1.6K/W Монтаж: THT Заряд на гейта: 54nС
IRFZ 48 VPBF /IR Транзистор: униполярен, N-MOSFET; 60V; 72A; 150W; TO220AB
IRG 4BC20 KD RG4BC20KDPBF IRG4BC20KD G4BC20KD - 600V 9A IGBT TO-220
IRG4PC30FP Fast Speed IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
IRG4PH50SPBF - IGBT Транзистор, 1200V, 57A, 200W, TO247ACПроизводител: INTERNATIONAL RECTIFIER Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1200V Ток на колектора: 57A Мощност: 200W Копрус: TO247AC Монтаж: THT
IRGP 35B60 PD - Транзистор: IGBT; 600V; 40A; 308W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 40A Разсейвана мощност: 308W Корпус: TO247-3 Монтаж: THT Структура на полупроводника: единичен транзистор Свойства на полупроводниковите елементи: integrated anti-parallel diode
IRL 3705 N Транзистор N-MOSFET; полеви; 55V; 89A; 130W; TO220AB INFINEONТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 89A Разсейвана мощност: 130W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 10mΩ Монтаж: THT Заряд на гейта: 65,3nС Вид на канала: обoгатяване logic level