Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
-
IRLB3036PBF
IRLB 3036PBF Транзистор: полеви (униполярен) N-MOSFET; 60V; 270A; 380W; TO220AB
9,60 лв - In Stock -
IRLML0030TRPBF
IRLML0030TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полеви; 30V; 5,3A; 1,3W; SOT23Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 5,3A Разсейвана мощност: 1,3W Корпус: SOT23 Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване Свойства: logic level
0,60 лв - In Stock -
IRLR2905TRPBF
IRLR 2905 TRPBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK; INFINEON TECHNOLOGIESТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 30A Ток на дрейна при импулс: 160A Разсейвана мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 27mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
3,90 лв - In Stock -
IRLR2905ZPBF
IRLR 2905 ZPBF- Транзистор: N-MOSFET; Полеви; 55V; 60A; 110W; DPAKПроизводител: Infineon (IRF) Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 60A Мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 13.5mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 23nС
3,00 лв - -
IRLR2905ZTRPBF
IRLR 2905 ZTRPBFF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK INFINEON TECHNOLOGIESТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 43A Ток на дрейна при импулс: 240A Разсейвана мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 13.5mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
2,40 лв - In Stock -
IRLR3110ZTRPBF
IRLR 3110 ZTRPBF - INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 63A; 140W; DPAKПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 63A Разсейвана мощност: 140W Корпус: DPAK Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване Свойства: logic level
6,30 лв - In Stock -
IRLR3114Z
IRLR3114Z Транзистор: N-MOSFET; полеви; 40V; 130A; 140W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 40V Ток на дрейна: 130A Разсейвана мощност: 140W Корпус: DPAK/ TO-252-3 Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване logic level
3,00 лв - In Stock -
IRS2304STRPBF
IRS 2304 STRPBF - Gate Drivers Half Brdg Drvr w/ Hi&LwПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип интегрална схема: driver Топология: полумост MOSFET Вид интегрална схема: high-/low-side, гейтов драйвер Корпус: SOIC-8 Изходен ток: 130 mA Мощност: 625mW Брой канали: 2 Монтаж: SMD Работна температура: -40...125°C Време на включване: 220ns Време на изключване: 185ns
2,20 лв - In Stock -
ISO124P
ISO 124 P - Интегрална схема: операционен усилвател; 50kHz; 4,5÷18VDC; DIP16Тип интегрална схема: операционен усилвател Честотна лента на пренасяне: 50kHz Захранващо напрежение: 4.5...18V DC Корпус: DIP16 Монтаж: THT Брой канали: 1 Скорост на нарастване на напрежение: 2V/μs Работна температура: -25...85°C
42,00 лв - In Stock -
ISO7242C
ISO7242CDWR Digital Isolators Quad Ch 2/2 25Mbps Dig IsoТип интегрална схема: интерфейс Вид интегрална схема: цифров изолатор Скор. на предаване на данни: 25Mbps Монтаж: SMD Корпус: SO16 Работна температура: -40...125°C Брой канали: 4 Напрежение на изолация: 2.5kV Брой входове: 2/2 Вид на канала: еднопосочна
14,40 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site