Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
-
IRFR3410
IR FR3410 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 31A; 110W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс:100V Ток на дрейна: 31A Разсейвана мощност: 110W Корпус: DPAK/ TO-252-3 Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
2,40 лв - In Stock -
IRFR3607
IR FR3607 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 75V; 80A; 140W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 75V Ток на дрейна: 80A Разсейвана мощност: 140W Корпус: DPAK/ TO-252-3 Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
4,50 лв - In Stock -
IRFR4615
IRFR 4615 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 150V; 33A; 144W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V Ток на дрейна: 33A Разсейвана мощност: 144W Корпус DPAK Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
4,50 лв - In Stock -
IRFR8314TRPBF
IRFR 8314 TRPBF - INFINEON Транзистор: N-MOSFET; полеви; 30V; 127A; 125W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 127A Разсейвана мощност: 125W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 3.1mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 36nС Вид на канала: обoгатяване
3,30 лв - In Stock -
IRFRC20PBF
IRFRC 20 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 1,3A; 42W; DPAKТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 1.3A Разсейвана мощност: 42W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 4.4Ω Монтаж: SMD Заряд на гейта: 18nС Вид на канала:
3,00 лв - In Stock -
IRFS23N20D
IRFS 23 N20D - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 17A; 170W; D2PAKПроизводител: IR Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 17A Разсейвана мощност: 170W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 0.1Ω Монтаж: SMD Заряд на гейта: 57nС Вид на канала: обoгатяване
3,90 лв - In Stock -
IRFS3006
IRFS 3006 Транзистор: N-MOSFET; полеви ; 60V; 293A; 375W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 293A Разсейвана мощност: 375W Корпус: D2PAK Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
12,90 лв - In Stock -
IRFS4010
IRFS4010TRLPBF Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 127A; 375W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 127A Разсейвана мощност: 375W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 4.7mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 143nС Вид на канала: обoгатяване
12,90 лв - In Stock -
IRFS4115
IRFS 4010 Транзистор: N-MOSFET; полеви ; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V Ток на дрейна: 70A Ток на дрейна при импулс: 396A Разсейвана мощност: 375W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 12.1mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
12,00 лв - In Stock -
IRFS4127
IRFS 4127 - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 72A; 375W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 72A Разсейвана мощност: 375W Корпус: D2PAK Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
12,00 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site