Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
TRANSISTOR, IGBT , N-CHAN , 250V V(BR)CES , 20A I(C), TO-247VARComplementary to GT20D201
GT20D201 TRANSISTOR , IGBT , P-CHAN , 250V V (BR) CES , 20A I(C) , TO-247VARComplementary to GT20D101
GT 40QR21 - Транзистор: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PNПроизводител: TOSHIBA Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1,2kV Ток на колектора: 35A Разсейвана мощност: 230W Корпус: TO3PN Напрежение гейт - емитер: ±25V Ток на колектора в импулс: 80A Монтаж: THT Време на включване: 0,3µs Време на изключване: 0,6µs Свойства: integrated anti-parallel diode
GW JTL6S1.EM OSRAM DURIS LED Q65112A8221 THICK / OOSGWJTL6S1EMLVL!A LW-37-KB DURIS ® E 2835The DURIS® E 2835 combines good efficacy and a wide beam angle into a compact format (2.8 mm x 3.5 mm). This is key to homogeneous illumination applications where the DURIS® E 2835 never fails to impress with its performance on system level.
H11 A550 Ca As infrared Emitting Diode &. NPN Silicon Phototransistor
H11 AA1 Optocoupler, Phototransistor Output, Ac Input, With Base Connection
H11 AA3 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR AC INPUT PHOTOCOUPLER
H11AA4X - OPTOCOUPLER, DIP-6, TR. O/P, AC I/P
H11 AV1 Phototransistor Optocouplers
H11B1 - OPTOCOUPLER, PHOTODARLINGTON, 5300VRMS