Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
-
FA5311
FA 5311
2,41 лв - In Stock -
FAN73832
FAN 73832, IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,гейтов драйвер; SOP8Тип ИС: driver Топология: полумост MOSFET Вид ИС: high-/low-side, гейтов драйвер Технология: MillerDrive™ Корпус: SOP8 Изходен ток: -650...350mA Брой канали: 2 Монтаж: SMD Време на нарастване на импулса: 100ns Време на спадане на импулса: 80ns Клас на напрежение: 600V Защита: понижено напрежение UVP
3,30 лв - In Stock -
FAN7385
FAN7385 IC: driver; high-side,гейтов драйвер; MillerDrive™; SOP14; Ch: 2Тип интегрална схема: driver Вид интегрална схема: high-side, гейтов драйвер Технология: MillerDrive™ Корпус: SOP14 Изходен ток: -650...350mA Брой канали: 2 Монтаж: SMD Работна температура: -40...125°C Време на нарастване на импулса: 90ns Време на спадане на импулса: 70ns Клас на напрежение: 600V
3,90 лв - In Stock -
FAN7842
FAN7842 IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SOP8Тип интегрална схема: driver Топология: полумост IGBT, полумост MOSFET Вид интегрална схема: high-/low-side, гейтов драйвер Корпус: SOP8 Изходен ток: -650...350mA Брой канали: 2 Монтаж: SMD Работна температура: -40...125°C Време на нарастване на импулса: 140ns Време на спадане на импулса: 80ns Клас на напрежение: 200V
3,00 лв - In Stock -
FCP11N60F
FCP 11N60 F Транзистор: N-MOSFET; полеви; 600V; 11A; 125W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 600V Ток на дрейна: 11A Разсейвана мощност: 125W Корпус: TO220-3 Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 380mΩ Монтаж: THT Вид на канала: обoгатяване
3,90 лв - In Stock -
FDB0170N607L
FDB 0170N607L MOSFET 60V TO263 7L JEDECMounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-263-7 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 300 A Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 173 nC
9,00 лв - In Stock -
FDB0190N807L
FDB 0190N807 L - Транзистор: N-MOSFET полеви 80V 190A; Idm: 1440A; 250WТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 80V Ток на дрейна: 190A Ток на дрейна при импулс: 1440A Разсейвана мощност: 250W Корпус: D2PAK-7 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 4.3mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 249nС Вид на канала: обoгатяване
12,90 лв - In Stock -
FDB035N10A
FDB 035N10A Транзистор: N-MOSFET полеви 100V 120A; Idm: 856A; 333W D2PAK Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 120A Ток на дрейна при импулс: 856A Разсейвана мощност: 333W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 3.5mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 116nС Вид на канала: обoгатяване
16,80 лв - In Stock -
FDB045AN
FDB 045AN Транзистор: N-MOSFET; полеви; 75V; 90A; 310W; D2PAПроизводител: ONSEMI Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 75V Ток на дрейна: 90A Разсейвана мощност: 310W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 8.4mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 138nС Вид на канала: обoгатяване
6,30 лв - In Stock -
FDB050AN
FDB050AN06A0- Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 80A; 5mΩ Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 21A Разсейвана мощност: 245W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: 10V Съпротивление във включено състояние: 5mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 61nС
5,40 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site