Полупроводници - 10 product(s)
- Subcategories
- диоди и мостови изправители
- интегрални схеми
- оптоелектроника
- тиристори, симистори, диаци
- транзистори
- Пелтие елементи
P008H полеви транзисторкорпус: SO8 Напрeжение V(ds)& 30V Сила на тока I(d): 24A Съпротивление Rds(on): 10V - 10mΩ; 4.5V - 14.5mΩ Маркировка на корпуса: P008H
P 1000 M - Диод: изправителен; THT; 1kV; 10A; P600; 1,5usПроизводител: DIOTEC SEMICONDUCTOR Тип диод: изправителен Монтаж: THT Обратно макс. напрежение: 1kV Ток в права посока: 10A Ток в права посока макс.: 80A Корпус: P600 Време за готовност: 1.5µs Ток в импулс макс.: 400A Напрежение в права посока макс. : 1.05V Ток на утечка: 10µA
P 2000 J: Изправителен диод 600V 20A Ifsm: 500A; P600Производител: DIOTEC SEMICONDUCTOR Тип диод: изправителен Монтаж: THT Обратно макс. напрежение: 600V Ток в права посока: 20A Ток в права посока макс.: 100A Структура на полупроводника: единичен диод Ток в импулс макс.: 500A Корпус: P600 Напрежение в права посока макс.: 1.1V Ток на утечка: 10µA Време за готовност: 1.5µs
P25Q40H-SSH-ER PUYA FLASH-SPI 4MB SPI SOP8Package: SOP8 Outpack: TAPE ON REEL Voltage: 3.0V Temperature: -40°C~+85°C Speed: 33 MHZ Std. Pack Qty: 4000
P 5058 H-547
P 6KE200 A - Еднопосочен трансил, TVS; 600W; 200V; 2,2A; ; ±5%; DO15Тип диод: TVS Разсейвана мощност: 600W Обратно макс. напрежение: 171V Напрежение на пробив: 200V Ток в импулс макс.: 2.2A Структура на полупроводника: еднопосочен Толеранс: ±5% Корпус: DO15 Монтаж: THT Ток на утечка: 1µA
P6SMB12A TRTB THICK / FAGOR 413252590 ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 12V 5% Uni-Directional DO214AA
P6SMB39CA Littelfuse Диод: TVS; 600W; 39V; 11,3A; двупосочeн; ±5%; DO214AAТип диод: TVS Разсейвана мощност: 600W Обратно макс. напрежение: 33.3V Напрежение на пробив: 39V Ток в импулс макс.: 11.3A Структура на полупроводника: двупосочeн Толеранс:±5% Корпус: DO214AA Монтаж: SMD Ток на утечка: 1µA
P6SMB540A-E3/52 Диод: TVS; 600W; 513V; 810mA; еднопосочнeнТип диод: TVS Разсейвана мощност Pppm: 600W Обратно макс. напрежение: 459V Напрежение на пробив: 513V Ток в импулс макс.: 810mA Структура на полупроводника: еднопосочeн Корпус: SMB Монтаж: SMD Ток на утечка: 1µA Свойства на полупроводниковите елементи: glass passivated Технология: TransZorb®
P6SMB75A-M4G Диод: TVS; 600W; 75V; 6,1A; еднопосочeн; ±5%; SMBПроизводител: TAIWAN SEMICONDUCTOR Тип диод: TVS Макс. разсейвана импулсна мощност: 0.6kW Обратно макс. напрежение: 64.1V Напрежение на пробив: 75V Ток в импулс макс.: 6.1A Структура: еднопосочeн Толеранс: ±5% Корпус: SMB Монтаж: SMD Ток на утечка: 1µA