Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEATON ELECTRICEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoFinderGACIAGP BatteriesHamaHARTINGHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayWeidmüllerZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
IRF 2807 PBFТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Тип транзистор: HEXFET
IRF 3205 PBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; HEXFET; 55V; 110A; 170W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: N-MOSFET
IR F3205S Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 110A; 200W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 110A Разсейвана мощност: 200W Корпус: D2PAK...
IRF 3205ST RLPBF, Транзистор: N-MOSFET, полеви, 55V, 110A, 200W, D2PAKПроизводител: Infineon (IRF) Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация:...
IRF 350Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 400V Ток на дрейна: 14A Мощност: 150W Корпус: TO-3...
IRF 3710 N-channel HEXFET® Power MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A TO-220AB
FQD 12N20L Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 57A; 200W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 57A...
IRF 3910Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 79 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 16 A...
IRF 4905 PBF, полеви транзистор: P-MOSFET; HEXFET; -55V; -74A; 200W; TO220ABПроизводител: IR Тип транзистор: P-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: -55V Ток на дрейна: -74A Мощност: 200W Напрежение гейт-сорс: 20V...
IRF 520 N Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 100V; 9,7A; 48W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 100V
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти