полеви транзистори - 10 product(s)
MOSFET and JFET, field-effect transistor
-
FDB050AN
FDB050AN06A0- Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 80A; 5mΩ Idm: 56A; 227W; D2PAK (TO-263)Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 21A Разсейвана мощност: 245W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: 10V Съпротивление във включено състояние: 5mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 61nС
5,40 лв - In Stock -
FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 268A; Idm: 56A; 227W; D2PAK7 (TO-263-7)Производител: onsemi Тип транзистор: N-MOSFET Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 268A Разсейвана мощност: 250 W Корпус: D2PAK7 / TO-263-7 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 1.7mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 163nС Вид на канала: обoгатяване
15,30 лв - In Stock -
FDB2532
FDB 2532 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 150V; 56A; 310W; D2PAKТип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V Ток на дрейна: 56A Разсейвана мощност: 310W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 14mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 82nС Вид на канала: обoгатяване
6,90 лв - In Stock -
FDB3632
FDB 3632 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V 80A 310W D2PAKПроизводител: ONSEMI Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 80A Разсейвана мощност: 310W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 22mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 110nС Вид на канала: обoгатяване
5,40 лв - In Stock -
FDMC4435BZ
FDMC 4435 BZ, Транзистор P-MOSFET полеви -30V; -18A; 31W; MLP8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: P-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -30V Ток на дрейна: -18A Разсейвана мощност: 31W Корпус: MLP8 Напрежение гейт-сорс: ±25V Съпротивление във включено състояние: 37mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 53nС
1,50 лв - In Stock -
FDN304P
FDN 304 P /smd/ MOSFET, P-channel, -20 V, -2.4 A, RDS(ON) 0.036 Ohm, SOT-23
6,00 лв - In Stock -
FDS6680A
FDS 6680 A - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 30V; 12,5A; 2,5W; SO8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET Технология: PowerTrench® Поляризация: униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 12.5A Мощност: 2.5W Корпус: SO8 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 15mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 23nС
1,20 лв - In Stock -
FDS6982AS
FDS 6982 AS - Транзистор: N-MOSFET x2; полеви; 30V; 6,3/8,6A; 2W; SO8Производител: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Тип транзистор: N-MOSFET x2 Технология: PowerTrench® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 30V Ток на дрейна: 6.3/8.6A Мощност: 2W Корпус: SO8 Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 35/20mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 15/30nС
1,50 лв - In Stock -
FQB19N20L
FQB 19N20 L - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 13,3A; 140W; D2PAKПроизводител: ON Тип транзистор: N-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви /униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 13.3A Разсейвана мощност: 140W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±20V Съпротивление във включено състояние: 150mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 35nС Вид на канала: обoгатяване
3,00 лв - In Stock -
FQB1P50
FQB 1P50 Транзистор: P-MOSFET; полеви; -500V; -0,95A; 63W; D2PAKПроизводител: ON Тип транзистор: P-MOSFET Технология: QFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: -500V Ток на дрейна: -0.95A Разсейвана мощност: 63W Корпус: D2PAK Напрежение гейт-сорс: ±30V Съпротивление във включено състояние: 10.5Ω Монтаж: SMD Заряд на гейта: 14nС Вид на канала: обoгатяване
3,90 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site