Добре дошли, Вход
Loading...
Всички производителиABBBalluffCRC KONTAKT CHEMIEDahuaDuracellEUCHNER GmbHFairchild SemiconductorFestoGACIAGP BatteriesHamaHenkelHewlett-PackardHitachiHOROZInfineon TechnologiesInternational RectifierINTIELKEC SemiconductorKOPPKWB - KRAFTIXXLITTELFUSEMakelMatsushitaMaxellMicrochipMitsubishi Electric CorporationMitutoyoNARVANECNICHICONNingbo JieTong Electronics Co.OMRONON SemiconductorOsramPANASONICPepperl+Fuchs GmbHPhilipsPro'sKitROHMROYAL OHMRubicon Tools LLCSAMSUNGSanken SemiconductorSANYO SemiconductorSchneider ElectricSharp CorporationSiemens AGSony CorporationST MicroelectronicsSUNLIGHTSylvania LampsTchibo - TCMTektronix Inc.Texas InstrumentsTOSHIBATungsramVishayVishay DraloricZhenhui Electronics
--По цена от най-нискатаПо цена от най-високатаНаименование: От А до ЯНаименование: От Я до АВ наличност с приоритет Сортирай по
IKW50N60T / K50T60 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: IGBT; 600V; 80A; 333W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 80A Разсейвана мощност: 333W Корпус: TO247-3...
IPB 014N06 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение...
IPB 019N08 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 214W Корпус: PG-TO263-7 Напрежение гейт-сорс:...
IPB 025N10 N Транзистор: N-MOSFET; полеви; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 100V Ток на дрейна: 180A Разсейвана мощност: 300W Корпус: PG-TO263-7...
IRFS 4010 Транзистор: N-MOSFET; полеви; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3Производител: INFINEON Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 5 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 150V...
IPB 054N08 N -Транзистор: N-MOSFET; полеви; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 80V Ток на дрейна: 80A Разсейвана мощност: 150W Корпус: PG-TO263-3...
IPD 50N06S4L12 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полеви; 60V; 36A; 50WПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 60V Ток на дрейна: 36A Мощност: 50W Корпус: PG-TO252-3 Напрежение...
IPD80R1K4CE Транзистор: N-MOSFET; полеви 650V 7,3A 83W PG-TO252-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: N-MOSFET Технология: CoolMOS™ Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 800V Ток на дрейна: 2.3A Разсейвана мощност: 63W...
IPP 110N20N - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 200V; 88A; 300W; TO220-3Тип транзистор: N-MOSFET Технология: OptiMOS™ 3 Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 200V Ток на дрейна: 88A Разсейвана мощност: 300W Кутия: TO220-3...
IRF 1010 E Power MOSFET (Vdss=60V/ Rds(on)=12mohm/ Id=84A)
продукта 102050
Няма продукти
Доставка 0,00 лв Сума 0,00 лв
Количка Поръчай
Всички Промоции
Всички нови продукти