IGBT транзистори (insulated-gate bipolar transistor) представлява полупроводниково устройство с три извода което се състои схемно от биполярен транзистор, управляван от полеви транзистор с изолиран гейт. Съчетава много висок входен импеданс на полевия транзистор с големите токове, които може да превключва биполярния транзистор. Ползва се във всички съвременни електромобили и изобщо схеми с превключване на големи токове.
IHW 30N160R 5XKSA1 INFINEON Транзистор: IGBT; 1,6kV; 39A; 131,5W; TO247-3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 1.6kV Ток на колектора: 39A Разсейвана мощност: 263W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 90A Монтаж: THT Заряд на гейта: 205nС Време на изключване: 411ns
IKP 10N60T - Транзистор: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB; единичен транзисторПроизводител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 10A Разсейвана мощно: 110W Корпус: TO220AB Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 30A Монтаж: THT Заряд на гейта: 62nС Свойства: integrated anti-parallel diode
IKW 30N60 H3FKSA1 - Транзистор: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; TRENCHSTOP™ 3; Серия: H3Производител: INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 30A Мощност: 94W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Монтаж: THT Технология: TRENCHSTOP™ 3 Серия: H3
IKW50N60T / K50T60 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: IGBT; 600V; 80A; 333W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Технология: TRENCHSTOP™ Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 80A Разсейвана мощност: 333W Корпус: TO247-3 Напрежение гейт - емитер: ±20V Монтаж: THT Структура на полупроводника: единичен транзистор Свойства: integrated anti-parallel diode
IRG 4BC20 KD RG4BC20KDPBF IRG4BC20KD G4BC20KD - 600V 9A IGBT TO-220
IRG4PC30FP Fast Speed IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
IRG4PH50SPBF - IGBT Транзистор, 1200V, 57A, 200W, TO247ACПроизводител: INTERNATIONAL RECTIFIER Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1200V Ток на колектора: 57A Мощност: 200W Копрус: TO247AC Монтаж: THT
IRGP 35B60 PD - Транзистор: IGBT; 600V; 40A; 308W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 40A Разсейвана мощност: 308W Корпус: TO247-3 Монтаж: THT Структура на полупроводника: единичен транзистор Свойства на полупроводниковите елементи: integrated anti-parallel diode
TOSHIBA Half Bridge IGBT Power Module - V(isol) 2.5kV max Power and Industrial Semiconductors Data Book 3,Brand: TOSHI
SGB02N120 / GB02N120 / SGB 02N120 Транзистор: IGBT; 1,2kV; 2,8A; 62W; D2PAKТип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1.2kV Ток на колектора: 2.8A Разсейвана мощност: 62W Корпус: D2PAK Напрежение гейт - емитер: ±20V Ток на колектора в импулс: 9.6A Монтаж: SMD Време на включване: 40ns Време на изключване: 375ns Структура на полупроводника: единичен транзистор