-
IRFZ44N
IRFZ 44 NPBF - Транзистор: N-MOSFET; униполарен; HEXFET; 55V; 41A; 83W; TO220ABТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: униполарен Тип транзистор: HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 41A Мощност: 83W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Монтаж: THT
1,60 лв - In Stock -
IRFZ48N
IRF Z48 N Транзистор: полеви (униполярен), N-MOSFET; 55V; 64A; 94W; TO220ABТип транзистор: униполярен, N-MOSFET, HEXFET Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 64A Мощност: 94W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: 20V Съпротивление във включено състояние: 14mΩ Термично съпротивление преход-корпус: 1.6K/W Монтаж: THT Заряд на гейта: 54nС
3,30 лв - In Stock -
IRFZ48VPBF
IRFZ 48 VPBF /IR Транзистор: униполярен, N-MOSFET; 60V; 72A; 150W; TO220AB
2,20 лв - In Stock -
IRG4PC30FP
IRG4PC30FP Fast Speed IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
7,15 лв - In Stock -
IRG4PH50SPBF
IRG4PH50SPBF - IGBT Транзистор, 1200V, 57A, 200W, TO247ACПроизводител: INTERNATIONAL RECTIFIER Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 1200V Ток на колектора: 57A Мощност: 200W Копрус: TO247AC Монтаж: THT
9,00 лв - In Stock -
IRGP35B60PD
IRGP 35B60 PD - Транзистор: IGBT; 600V; 40A; 308W; TO247-3Тип транзистор: IGBT Напрежение колектор - емитер: 600V Ток на колектора: 40A Разсейвана мощност: 308W Корпус: TO247-3 Монтаж: THT Структура на полупроводника: единичен транзистор Свойства на полупроводниковите елементи: integrated anti-parallel diode
15,90 лв - In Stock -
IRL3705N
IRL 3705 N Транзистор N-MOSFET; полеви; 55V; 89A; 130W; TO220AB INFINEONТип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 89A Разсейвана мощност: 130W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 10mΩ Монтаж: THT Заряд на гейта: 65,3nС Вид на канала: обoгатяване logic level
5,50 лв - In Stock -
IRLR2905TRPBF
IRLR 2905 TRPBF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK; INFINEON TECHNOLOGIESТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 30A Ток на дрейна при импулс: 160A Разсейвана мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 27mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
3,90 лв - In Stock -
IRLR2905ZPBF
IRLR 2905 ZPBF- Транзистор: N-MOSFET; Полеви; 55V; 60A; 110W; DPAKПроизводител: Infineon (IRF) Тип транзистор: N-MOSFET Технология: HEXFET® Поляризация: полеви / униполарен Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 60A Мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 13.5mΩ Монтаж: SMD Заряд на гейта: 23nС
3,00 лв - -
IRLR2905ZTRPBF
IRLR 2905 ZTRPBFF - Транзистор: N-MOSFET; полеви; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK INFINEON TECHNOLOGIESТип транзистор: N-MOSFET Поляризация: полеви Напрежение дрейн - сорс: 55V Ток на дрейна: 43A Ток на дрейна при импулс: 240A Разсейвана мощност: 110W Корпус: DPAK Напрежение гейт-сорс: ±16V Съпротивление във включено състояние: 13.5mΩ Монтаж: SMD Вид на канала: обoгатяване
2,40 лв - In Stock
Powered By PrestaShop • View Full Site